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GaN技術(shù)，新變局
未來(lái)，隨著研究不斷深入、技術(shù)突破，垂直型GaN器件市場(chǎng)將迎來(lái)廣闊發(fā)展前景。在這個(gè)過(guò)程中，國(guó)內(nèi)外廠商都在勵(lì)兵秣馬，力爭(zhēng)在這個(gè)競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)尋到自己的一片天空。SiC和GaN，戰(zhàn)斗才剛剛開(kāi)始
GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計(jì)的此類設(shè)備，其中許多每天運(yùn)行數(shù)小時(shí)，因此節(jié)省的能源將是巨大的。GaN出擊
在以便攜性為核心競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的充電器市場(chǎng)，GaN的高頻特性可以更有效的提升產(chǎn)品功率密度，因此是更優(yōu)的選擇。兩大半導(dǎo)體材料最后究竟市場(chǎng)需求如何，目前尚未分出勝負(fù)。SiC/GaN，海外巨頭瘋狂擴(kuò)產(chǎn)
以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸嶄露頭角，憑借其高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，展現(xiàn)巨大的市場(chǎng)前景，正成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)。
半導(dǎo)體行業(yè)觀察
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
